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Affiner la rechercheSimulation monte carlo de mosfet pour une électronique haute fréquence / MING SHI
Titre : Simulation monte carlo de mosfet pour une électronique haute fréquence Type de document : texte imprimé Auteurs : MING SHI, Auteur Editeur : Univ Européenne Année de publication : 2012 Collection : OMN.UNIV.EUROP. Importance : 224 pages Format : 15 x 1,3 x 22 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-6-13-159593-6 Note générale : SHI, MING est un ancien élève du Magistère de Physique Fondamentale d'Orsay et diplômé du Master de Physique Fondamentale et Appliquée de l'Université Paris-Sud, spécialité Micro-nanotechnologies. Il obtient son doctorat de physique sur la modélisation des transistors MOSFET à base de matériaux III-V. Il est enseignant de physique à Univ. Paris Sud Langues : Français (fre) Catégories : [Thesaurus]Sciences et Techniques:Techniques:Ingénierie Index. décimale : 621.3 Electrotechnique Résumé : Le rendement consommation/fréquence des futures générations de circuits intégrés sur silicium n'est pas satisfaisant à cause de la faible mobilité électronique et des relativement grandes tensions d'alimentation VDD requises. Ce travail se propose d'explorer numériquement les potentialités des transistors à effet de champ (FET) à base de matériaux III-V pour un fonctionnement en haute fréquence et une ultra basse consommation.Tout d'abord, l'étude consiste à analyser théoriquement le fonctionnement d'une capacité MOS III-V en résolvant de façon auto-cohérente les équations de Poisson et Schrödinger (PS). On peut ainsi comprendre comment et pourquoi les effets extrinsèques comme les états de pièges à l'interface high-k/III-V dégradent les caractéristiques intrinsèques. Nous avons ensuite étudié plus en détails les performances des MOSFET III-V en régimes statiques et dynamiques sous faible VDD, à l'aide du simulateur particulaire MONACO de type Monte Carlo. Les caractéristiques de quatre topologies de MOSFET ont été quantitativement étudiées en termes de rendement fréquence/consommation et de bruit. Nous en tirons des conclusions sur l'optimisation de ces dispositifs. Simulation monte carlo de mosfet pour une électronique haute fréquence [texte imprimé] / MING SHI, Auteur . - [S.l.] : Univ Européenne, 2012 . - 224 pages ; 15 x 1,3 x 22 cm. - (OMN.UNIV.EUROP.) .
ISBN : 978-6-13-159593-6
SHI, MING est un ancien élève du Magistère de Physique Fondamentale d'Orsay et diplômé du Master de Physique Fondamentale et Appliquée de l'Université Paris-Sud, spécialité Micro-nanotechnologies. Il obtient son doctorat de physique sur la modélisation des transistors MOSFET à base de matériaux III-V. Il est enseignant de physique à Univ. Paris Sud
Langues : Français (fre)
Catégories : [Thesaurus]Sciences et Techniques:Techniques:Ingénierie Index. décimale : 621.3 Electrotechnique Résumé : Le rendement consommation/fréquence des futures générations de circuits intégrés sur silicium n'est pas satisfaisant à cause de la faible mobilité électronique et des relativement grandes tensions d'alimentation VDD requises. Ce travail se propose d'explorer numériquement les potentialités des transistors à effet de champ (FET) à base de matériaux III-V pour un fonctionnement en haute fréquence et une ultra basse consommation.Tout d'abord, l'étude consiste à analyser théoriquement le fonctionnement d'une capacité MOS III-V en résolvant de façon auto-cohérente les équations de Poisson et Schrödinger (PS). On peut ainsi comprendre comment et pourquoi les effets extrinsèques comme les états de pièges à l'interface high-k/III-V dégradent les caractéristiques intrinsèques. Nous avons ensuite étudié plus en détails les performances des MOSFET III-V en régimes statiques et dynamiques sous faible VDD, à l'aide du simulateur particulaire MONACO de type Monte Carlo. Les caractéristiques de quatre topologies de MOSFET ont été quantitativement étudiées en termes de rendement fréquence/consommation et de bruit. Nous en tirons des conclusions sur l'optimisation de ces dispositifs. Exemplaires
Cote Section Localisation Code-barres Disponibilité Numero_inventaire 621.3 SMS Ingénierie Biblio-FPN 000001141408 Disponible S4794
Titre : Pollution Des Eaux Impact Des Eaux Usees Sur La Qualite Des Eaux De Surface Type de document : texte imprimé Auteurs : KHALID AROUYA, Auteur Editeur : Univ Européenne Année de publication : 13 janvier 2011 Importance : Nombre de pages124 Présentation : Poids194 g Format : Dimensions22 x 15 x 0,7 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-6-13-155937-2 Langues : Français (fre) Index. décimale : 628.44 Déchets urbains Pollution Des Eaux Impact Des Eaux Usees Sur La Qualite Des Eaux De Surface [texte imprimé] / KHALID AROUYA, Auteur . - [S.l.] : Univ Européenne, 13 janvier 2011 . - Nombre de pages124 : Poids194 g ; Dimensions22 x 15 x 0,7 cm.
ISBN : 978-6-13-155937-2
Langues : Français (fre)
Index. décimale : 628.44 Déchets urbains Exemplaires
Cote Section Localisation Code-barres Disponibilité Numero_inventaire 628.44 KHA Economie Biblio-FPN 003302045725 Disponible 406A/23 628.44 KHA Economie Biblio-FPN 003302045726 Disponible 405A/23
Titre : Fonctionnement et organisation des écosystèmes paraliques marocains Type de document : texte imprimé Auteurs : Lakhdar Idrissi, Auteur Editeur : Univ Européenne Année de publication : 12 septembre 2018 ISBN/ISSN/EAN : 978-6-13-157803-8 Langues : Français (fre) Index. décimale : 628 techniques de protection de l'Environnement. Fonctionnement et organisation des écosystèmes paraliques marocains [texte imprimé] / Lakhdar Idrissi, Auteur . - [S.l.] : Univ Européenne, 12 septembre 2018.
ISBN : 978-6-13-157803-8
Langues : Français (fre)
Index. décimale : 628 techniques de protection de l'Environnement. Exemplaires
Cote Section Localisation Code-barres Disponibilité Numero_inventaire 628 LAK Economie Biblio-FPN 003302045723 Disponible 408A/23 628 LAK Economie Biblio-FPN 003302045724 Disponible 407A/23
Titre : Flore Marine du Maroc (Méditerranée & Atlantique) Type de document : texte imprimé Auteurs : Saïd Benhissoune, Auteur Editeur : Univ Européenne Année de publication : 29 mai 2017 Importance : Nombre de pages232 Dimensions22,9 x 15,2 x 1,3 cm Présentation : Poids347 g Format : Dimensions22,9 x 15,2 x 1,3 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-3-84161-323-3 Langues : Français (fre) Index. décimale : 589 Champignons Flore Marine du Maroc (Méditerranée & Atlantique) [texte imprimé] / Saïd Benhissoune, Auteur . - [S.l.] : Univ Européenne, 29 mai 2017 . - Nombre de pages232 Dimensions22,9 x 15,2 x 1,3 cm : Poids347 g ; Dimensions22,9 x 15,2 x 1,3 cm.
ISBN : 978-3-84161-323-3
Langues : Français (fre)
Index. décimale : 589 Champignons Exemplaires
Cote Section Localisation Code-barres Disponibilité Numero_inventaire 589 SAI Economie Biblio-FPN 003302045721 Disponible 409A/23 589 SAI Economie Biblio-FPN 003302045722 Disponible 410A/23
