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Simulation monte carlo de mosfet pour une électronique haute fréquence / MING SHI

Public ISBD Titre : Simulation monte carlo de mosfet pour une électronique haute fréquence Type de document : texte imprimé Auteurs : MING SHI, Auteur Editeur : Univ Européenne Année de publication : 2012 Collection : OMN.UNIV.EUROP. Importance : 224 pages Format : 15 x 1,3 x 22 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-6-13-159593-6 Note générale : SHI, MING est un ancien élève du Magistère de Physique Fondamentale d'Orsay et diplômé du Master de Physique Fondamentale et Appliquée de l'Université Paris-Sud, spécialité Micro-nanotechnologies. Il obtient son doctorat de physique sur la modélisation des transistors MOSFET à base de matériaux III-V. Il est enseignant de physique à Univ. Paris Sud Langues : Français (fre) Catégories : [Thesaurus]Sciences et Techniques:Techniques:Ingénierie Index. décimale : 621.3 Electrotechnique Résumé : Le rendement consommation/fréquence des futures générations de circuits intégrés sur silicium n'est pas satisfaisant à cause de la faible mobilité électronique et des relativement grandes tensions d'alimentation VDD requises. Ce travail se propose d'explorer numériquement les potentialités des transistors à effet de champ (FET) à base de matériaux III-V pour un fonctionnement en haute fréquence et une ultra basse consommation.Tout d'abord, l'étude consiste à analyser théoriquement le fonctionnement d'une capacité MOS III-V en résolvant de façon auto-cohérente les équations de Poisson et Schrödinger (PS). On peut ainsi comprendre comment et pourquoi les effets extrinsèques comme les états de pièges à l'interface high-k/III-V dégradent les caractéristiques intrinsèques. Nous avons ensuite étudié plus en détails les performances des MOSFET III-V en régimes statiques et dynamiques sous faible VDD, à l'aide du simulateur particulaire MONACO de type Monte Carlo. Les caractéristiques de quatre topologies de MOSFET ont été quantitativement étudiées en termes de rendement fréquence/consommation et de bruit. Nous en tirons des conclusions sur l'optimisation de ces dispositifs. Simulation monte carlo de mosfet pour une électronique haute fréquence [texte imprimé] / MING SHI, Auteur . - [S.l.] : Univ Européenne, 2012 . - 224 pages ; 15 x 1,3 x 22 cm. - (OMN.UNIV.EUROP.) . ISBN : 978-6-13-159593-6 SHI, MING est un ancien élève du Magistère de Physique Fondamentale d'Orsay et diplômé du Master de Physique Fondamentale et Appliquée de l'Université Paris-Sud, spécialité Micro-nanotechnologies. Il obtient son doctorat de physique sur la modélisation des transistors MOSFET à base de matériaux III-V. Il est enseignant de physique à Univ. Paris Sud Langues : Français (fre) Catégories : [Thesaurus]Sciences et Techniques:Techniques:Ingénierie Index. décimale : 621.3 Electrotechnique Résumé : Le rendement consommation/fréquence des futures générations de circuits intégrés sur silicium n'est pas satisfaisant à cause de la faible mobilité électronique et des relativement grandes tensions d'alimentation VDD requises. Ce travail se propose d'explorer numériquement les potentialités des transistors à effet de champ (FET) à base de matériaux III-V pour un fonctionnement en haute fréquence et une ultra basse consommation.Tout d'abord, l'étude consiste à analyser théoriquement le fonctionnement d'une capacité MOS III-V en résolvant de façon auto-cohérente les équations de Poisson et Schrödinger (PS). On peut ainsi comprendre comment et pourquoi les effets extrinsèques comme les états de pièges à l'interface high-k/III-V dégradent les caractéristiques intrinsèques. Nous avons ensuite étudié plus en détails les performances des MOSFET III-V en régimes statiques et dynamiques sous faible VDD, à l'aide du simulateur particulaire MONACO de type Monte Carlo. Les caractéristiques de quatre topologies de MOSFET ont été quantitativement étudiées en termes de rendement fréquence/consommation et de bruit. Nous en tirons des conclusions sur l'optimisation de ces dispositifs.

Exemplaires

Cote	Section	Localisation	Code-barres	Disponibilité	Numero_inventaire
621.3 SMS	Ingénierie	Biblio-FPN	000001141408	Disponible	S4794